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Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein im Jahre 1999 entstandenes Hochtechnologieunternehmen mit Hauptsitz Neubiberg bei München. Infineon Technologies bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil- und Industrieelektronik, Chipkarten, Sensoren, sowie Drahtlose Kommunikation.
Im Jahr 2010 zählte die Belegschaft des Unternehmens mehr als 25000 Mitarbeiter.
Infineon: Aktuelle Nachrichten
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Der Berufseinstieg bei der Infineon Technologies AG
Die Infineon Technologies AG gibt es erst seit dem Jahr 2000. Sie entstand durch einen sogenannten Spin-out aus der Siemens AG, die das Geschäftsfeld Halbleiter auslagerte. Der Sitz des Hochtechnologieunternehmens ist in der Nähe von München, in Neubiberg.
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Deutsches Forschungsprojekt "CoSiP" legt Grundstein für gleichzeitige Entwicklung von Chip, Gehäuse und Board für System-in-Package-Anwendungen
Die zunehmende Komplexität von Mikroelektroniksystemen erfordert es, dass besonders für System-in-Package-Anwendungen die Entwicklung von Chips, Chipgehäuse und Board von Anfang an mit einander verknüpft und auf einander abstimmt wird.
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Infineon vereinbart für München Kurzarbeit ab dem 1. April 2009
Die Betriebsleitung und der Betriebsrat der Infineon Standorte Campeon und Perlach haben eine Vereinbarung zur Einführung von Kurzarbeit ab dem 1. April 2009 unterzeichnet.
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Infineon mit European Podcast Award als bester Deutscher Podcast in der Kategorie Business ausgezeichnet
Infineon Technologies ist mit dem European Podcast Award für den besten deutschen Podcast in der Kategorie Business ausgezeichnet worden.
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Infineon verwendet Nobelpreis-Technologie in Winkelsensoren
Die Entdeckung des sogenannten Giant-Magneto-Resistance-Effekts wurde in diesem Jahr mit dem Nobelpreis für Physik ausgezeichnet. Infineon setzt diesen Effekt jetzt erstmals für die Lenkwinkelmessung in Fahrzeugen ein und ist damit der weltweit erste Halbleiterhersteller, der einen integrierten Giant-Magneto-Resistance (iGMR)-Sensor in die Volumenproduktion bringt. Mit dem Sensor lassen sich Winkel von 0° bis 360° mit sehr hoher Genauigkeit messen. Integriert sind zwei GMR-Vollbrücken, ein Temperatursensor, zwei Analog-Digital-Wandler, mehrere Spannungsregler, zusätzliche Filter sowie interne Vorrichtungen, um diese Komponenten während des Betriebs immer wieder zu überprüfen.
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Infineon gewinnt ‚JUVE Award’ in der Kategorie IP/Medien
Die Infineon Rechts- und Patentabteilung wurde von der renommierten Fachzeitschrift JUVE mit dem Award "Inhouse Team des Jahres" in der Kategorie IP/Medien ausgezeichnet.
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Infineon und Ruhr-Universität Bochum gehen neuartige Forschungskooperation ein - Know-how-Transfer durch Austausch von Spitzenkräften
Infineon und die Ruhr-Universität Bochum (RUB) beschreiten neue Wege in der Zusammenarbeit und beim Know-How-Transfer. Um der Wechselwirkung von Marktanforderungen und der Schaffung grundlegender Innovationen mit größtmöglicher Synergie begegnen zu können, tauschen Infineon und die RUB Spitzenkräfte für drei Jahre aus. Mit dieser Art der Zusammenarbeit von Wissenschaft und Wirtschaft wird eine Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit angestrebt.
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Infineon entwickelt umfassendes FlexRay-Bussystem für das Auto der Zukunft
nfineon Technologies, Europas führender Halbleiterhersteller für die Automobilindustrie, arbeitet an der nächsten Generation von Transceivern für das Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystem zukünftiger Autogenerationen. Das gab das Unternehmen heute anlässlich der Fachkonferenz „FlexRay® Product Day“ in Böblingen bekannt.
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Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien CNT feierlich eröffnet
Der Sprung von der Mikro- zur Nanoelektronik ist eine große Herausforderung für die Halbleiterindustrie. Am Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien CNT in Dresden entwickeln Wissenschaft und Wirtschaft in Public Private Partnership gemeinsam neue Prozesstechnologien für die Nanoelektronik. Am 31. Mai 2005 fand die feierliche Eröffnung mit Gästen von Bund, dem Freistaat Sachsen, der Wissenschaft und Wirtschaft statt.
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Infineon gründet am 1. April 2005 ein neues Entwicklungszentrum in Bukarest / Rumänien für wachsenden Markt der Leistungshalbleiter mit analogen und digitalen Funktionen
Infineon gründet am 1. April 2005 mit der Infineon Technologies Romania GesmbH eine Landesgesellschaft in Rumänien als Tochterunternehmen der Infineon Technologies Austria AG. In der rumänischen Hauptstadt wird ein Development Center aufgebaut, das auf Leistungshalbleiter mit analogen und digitalen Funktionen (Power mixed signal) spezialisiert sein wird.
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Infineon vereinfacht Organisation - Aufgaben im Vorstand neu verteilt
Die Infineon Technologies AG vereinfacht mit Wirkung zum 1. Januar 2005 seine Organisation und schafft damit im gesamten Unternehmen kürzere und schnellere Entscheidungswege, eine stärkere Ausrichtung auf seine Kunden und eine höhere Effizienz und Flexibilität. Die Geschäftsverteilung im Vorstand wird neu geregelt, wodurch den jetzt drei Geschäftsbereichen jeweils ein Vorstandsmitglied vorstehen wird. Die mobile und drahtgebundene Kommunikation werden entsprechend der Entwicklung im Markt in dem neuen Geschäftsbereich Kommunikation gebündelt. Gleichzeitig werden die Sicherheits- und Chipkarten-Aktivitäten in den erweiterten Geschäftsbereich Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket eingegliedert. Im Rahmen dieser Neuorganisation werden die Business Units angepasst sowie neue geschaffen und damit die wirtschaftliche Verantwortung tiefer in das Unternehmen getragen. Die Geschäftsbereiche und Business Units werden mit allen wesentlichen Funktionen eines Unternehmens im Unternehmen ausgestattet. Damit werden die Voraussetzungen für ein erfolgreiches Agieren in einem immer dynamischeren und volatileren weltweiten Halbleitermarkt verbessert.
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Infineon expandiert in Portugal
Werk für Montage und Test von Speicherchips für 230 Millionen Euro erweitert - rund 500 neue Arbeitsplätze in Porto.
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Infineon erweitert in Dresden sein Entwicklungszentrum für Speicherprodukte und schafft 120 neue Arbeitsplätze
Infineon Technologies AG wird am Referenzstandort Dresden sein Entwicklungszentrum für Speicherprodukte (Memory Development Center) erweitern und damit die zentrale Rolle des Standortes für die Entwicklung von Prozesstechnik, insbesondere für DRAM- und Flash-Produkte, weiter stärken und ausbauen.
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Infineon präsentiert erste Ergebnisse zur Verwendung organischer Materialien für zukünftige elektronische Bauelemente
In den Forschungslabors von Infineon Technologies wurden verschiedene organische Materialien analysiert und ein breites Spektrum von Prozessen entwickelt. Diese können zukünftig bei der Fertigung qualitativ-hochwertiger Silizium-basierter DRAMs und anderer Speicher wie auch zur Herstellung organischer Transistoren und Schaltungen genutzt werden. Indem konventionelle Abscheidungsprozesse und Fotolithografie-Verfahren zur Fertigung dieser Komponenten verwendet werden, ist dieser Ansatz für eine kostengünstige Massenfertigung prädestiniert. Aufbauend auf diesen fundamentalen Technologien präsentierten die Wissenschaftler von Infineon auf der diesjährigen IEDM-Konferenz in Washington DC (8.-10. Dezember) in einer Reihe von Vorträgen signifikante Fortschritte bei Leistung, Zuverlässigkeit und Temperaturverhalten von Transistoren, Schaltungen und Speichern auf der Basis organischer Materialien. Diese Ergebnisse stellen einen Meilenstein auf dem Weg zur Nutzung organischer Materialien für zukünftige elektronische Bauelemente dar.
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Infineon Technologies eröffnet Verbindungsbüro in Berlin
Infineon Technologies eröffnet heute sein Verbindungsbüro in Berlin und sucht damit den offenen Dialog mit Politik, Verbänden und der Wirtschaft in der deutschen Bundeshauptstadt.
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Infineon Technologies eröffnet in Frankreich Entwicklungszentrum für Glasfaser-Applikationen
Infineon Technologies verstärkt seine Aktivitäten auf dem schnell wachsenden Glasfasermarkt durch die Eröffnung eines Entwicklungszentrums in Echirolles nahe Grenoble in Frankreich. In dem neuen Zentrum werden Chips für die Highspeed-Datenübertragung unter Verwendung modernster Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) und CMOS- Metalloxid-Halbleitertechnik entwickelt.
